研究内容：

      项目面向5G基站毫米波点对点通信核心器件与芯片领域，针对化合物半导体砷化镓（GaAs）多功能芯片性能需求，开展毫米波点对点通信设备应用中GaAs高线性VGA及高线性功放关键技术研究，突破并掌握核心技术，形成典型产品、科技成果以及经济社会效益。

考核指标：

      形成2款产品，2件发明专利，形成两款典型芯片产品，常温指标如下：1、大动态、高线性毫米波VGA多功能芯片：工作频率：32-40GHz；小信号增益：≥21dB；P-1dB输出功率：≥20dBm；三阶交调（OIP3）：≥28dBm（双音输出功率8dBm，双音间隔20MHz）；衰减动态范围：≥55dB。2、宽带高线性毫米波功率放大器芯片：工作频率：37-39GHz；小信号增益：≥19dB；饱和输出功率：≥31dBm；三阶交调（OIP3）：≥37dBm（双音输出功率25dBm，双音间隔20MHz）；IM5：≤-49dBc（双音输出功率25dBm，双音间隔20MHz）

对揭榜方要求：

      拥有本领域研究五年以上经验，项目负责人拥有正高级职称，承担过相关领域省级以上研发项目，团队关键技术人员不少于3名。    

      产权归属：合作单位在实施本项目之前，各自获得拥有的知识产权及相应权益，均归各自所有，不因共同实施项目而改变。因实施项目有需要，各自提供的相关信息，不构成向任何合作方授予任何关于专利、著作权、商标等知识产权的许可行为或其他权利。本项目实施期间所形成的知识产权全部归发榜方所有。